Crecimiento de películas
Depósito por capa atómica (ALD)
Beneq TFS 200
Películas delgadas nanométricas con control preciso de espesor (ALD térmico y PEALD).
Capacidades
El sistema de depósito por capa atómica (ALD) Beneq TFS 200 permite sintetizar materiales de interés para la comunidad académica y para el sector industrial. El tipo de materiales y estructuras que se pueden fabricar abarca materiales semiconductores, luminiscentes, multiferroicos, catalíticos y recubrimientos ultra-duros, entre otros. El sistema permite la síntesis de películas delgadas a escala nanométrica con control preciso del espesor, mediante ALD térmico y ALD asistido por plasma (PEALD).
Los óxidos calibrados en este reactor son Al₂O₃, ZnO, TiO₂, HfO₂, ZrO₂, Y₂O₃, YSZ y diferentes combinaciones entre los mismos.
Especificaciones
- ALD térmico
- Sustrato hasta 500 °C
- Fuentes
- 2 líquidas a temperatura ambiente, 2 calientes hasta 300 °C
- PEALD
- RF hasta 300 W (Ar, O₂, N₂)
- Óxidos calibrados
- Al₂O₃, ZnO, TiO₂, HfO₂, ZrO₂, Y₂O₃, YSZ